有機エレクトロニクス研究センター＞【開催終了】第23回　有機エレクトロニクス研究センター講演会開催について（12月22日）

12月22日午後4時から、有機エレクトロニクス研究センター会議室において、大阪大学産業科学研究所　准教授竹谷純一先生，独立行政法人理化学研究所加藤分子物性研究室　山本浩史様を講師にお迎えして、第23回有機エレクトロニクスセンター講演会を開催しました。

会場には、約50名の研究者・学生が集まり、盛況のうちに終了しました。

大阪大学産業科学研究所准教授竹谷純一先生	独立行政法人理化学研究所加藤分子物性研究室山本浩史様

大阪大学産業科学研究所　准教授竹谷純一先生
概要：有機薄膜トランジスタ（TFT）は，アクティブマトリクスディスプレイや電子ペーパーの制御用デバイスを，印刷法や蒸着などの簡単なプロセスによって低価格供給できる有望な技術であるため，活発な研究開発が行われている．本稿講演では，有機単結晶を半導体活性層とする「有機単結晶トランジスタ」について述べる.有機半導体単結晶材料は，有機分子がほぼ完全な周期性をもって配列しているため，高分子薄膜における構造の不規則性や低分子多結晶薄膜における結晶粒界の影響が排除された,より理想的なトランジスタ特性が得られることを特徴とする．特に、高性能と生産性を両立する塗布型有機単結晶トランジスタアレイについて，最近の研究を紹介する．

独立行政法人理化学研究所加藤分子物性研究室　山本浩史様
概要：モット絶縁体は高温超伝導体の母物質として重要な物質系であり、その中ではキャリア間に働く強い電子相関（クーロン反発）が原因となって絶縁化が起きている。モット絶縁体の物性はバンドフィリングに敏感であることが知られており、電界効果や化学的ドーピングによってフィリング制御を行うと、電子系の相転移が起きると考えられる。この特徴を活かして新しい原理の電界効果トランジスタ（相転移トランジスタ）を作製することが出来れば、回路のナノサイズ化や省電力化にも対応できるデバイスが開発出来る可能性がある。我々は有機モット絶縁体である -(BEDT-TTF)2Cu[N(CN)2]Br（以下 -Br）の薄膜単結晶を2/Si基板に貼り付けることによって、有機モット絶縁体をチャネル材料としたＦＥＴの作製に成功した。 -Brはバルクでは超伝導を示す物質であるが、シリコン基板上では熱収縮が抑制され、その結果として低温まで絶縁体的な振る舞いを示す。この状態でゲート電圧をかけると、このデバイスはｎ型のＦＥＴとして動作した。また、ホール効果やゼーベック効果の測定より、デバイスの界面では電子系の相転移が起きていることが明らかとなった。本講演ではさらに、相転移現象に関する最新の成果についても紹介する。本研究は川椙義高・中野匡規・田嶋尚也・福永武男・塚越一仁・川崎雅司・岩佐義宏・加藤礼三各氏との共同研究である。

日時	2011年12月22日（木）16：00～17:00,16：00～17：00　【15：00～16：00，16：00～17：00から時間変更になりました】
会場	有機エレクトロニクス研究センター(10号館)4階会議室
講師	大阪大学産業科学研究所　准教授竹谷純一先生，独立行政法人理化学研究所加藤分子物性研究室　山本浩史様
演題	竹谷先生「有機単結晶のトランジスタ」，山本浩史様「有機モットFETにおける電子系相転移」