10月3日、有機エレクトロニクス研究センター4階大会議室において、第69回 有機エレクトロニクス研究センター講演会を開催しました。
今回は、大阪府立大学大学院工学研究科 電子・数物系専攻 電子物理工学分野の内藤 裕義 先生を講演者としてお迎えし「トップゲート有機トランジスタの高移動度化、高安定性、低駆動電圧化」という題で講演して頂きました。
講演には、多くの研究者、学生が参加し、大盛況のうちに終了しました。
 当日の会場の様子 |  大阪府立大学大学院工学研究科 電子・数物系専攻 電子物理工学分野 教授 内藤 裕義 先生 |
日時 | 10月3日(木) 午後4時00分～午後5時30分 |
会場 | 有機エレクトロニクス研究センター（10号館） 4階大会議室 |
講師 | 大阪府立大学大学院工学研究科 電子・数物系専攻 電子物理工学分野 教授 内藤 裕義 先生 |
演題 | トップゲート有機トランジスタの高移動度化、高安定性、低駆動電圧化 |
典型的な低分子半導体、高分子半導体の塗布薄膜表面の自己凝集構造を
チャネルに用いたトップゲート構造の電界効果トランジスタの機能性について述べる。
気液界面では高い秩序を有する凝集構造が発現し、この構造により、高移動度、
高安定性が実現できることを示す。このような特性はある程度以上の半導体膜厚
があると基板の表面エネルギーの影響を受けないことを合わせて示す。したがっ
て、塗布形成が容易な濡れ性のよい基板の上に高移動度、高安定性のトランジス
タを形成できることが可能となる。トップゲート構造の電界効果トランジスタの
安定性は、ゲートバイアスの長時間印加により評価でき、実用化されているアモ
ルファスSi薄膜トランジスタと同程度である。さらに、ソース・ドレイン電極を
埋め込み電極とした場合、ゲート絶縁膜が薄膜化でき、トランジスタの低駆動電
圧化が可能になることを示す。
