福田憲二郎 助教の研究が、「科学技術振興機構(JST) 戦略的創造研究推進事業（さきがけ）」に採択されました。

科学技術振興機構(JST)
戦略的創造研究推進事業（さきがけ）

研究領域：素材・デバイスシテム融合による革新的ナノエレクトロニクスの創成
研究課題：「ナノ膜厚ポリマー絶縁を利用した全印 ナノ膜厚ポリマー絶縁を利用した全印 刷型基 板レス有機集積回路の創成 」
研究代表者：福田憲二郎
期間：平成26年10月～平成30年3月

URL : http://www.jst.go.jp/kisoken/presto/news/2014/140926presto.pdf